【集成电路科学与技术前沿】第十期——压电（光）电子学效应及器件

2025年11月25日，中国科学院北京纳米能源与系统研究所翟俊宜研究员应鲁东大学集成电路学院邀请，在北教22号楼401报告厅作“压电（光）电子学效应及器件”学术报告，集成电路学院师生参加，张立春院长主持报告会。

翟俊宜研究员首先介绍了压电电子学、压电光电子学及挠曲电子学器件的设计原理，明确了通过外部应变调控半导体载流子行为的核心逻辑；随后聚焦氮化镓Piezo-HEMT器件，解析了压电效应优化器件性能的物理机制；讲解了基于压电光电子学的全光力学传感器及其在细胞力成像方面的应用。最后阐述了压电电子学中的力电磁多场耦合机制以及挠曲电子学器件的研究进展。

报告结束后，翟俊宜研究员与现场师生围绕器件研发、技术落地等问题交流互动，解答了实验设计、材料选择等疑问，并鼓励同学们关注领域前沿，强化理论与实践的结合。

翟俊宜，男，中国科学院北京纳米能源与系统研究所副所长、研究员、博士生导师，第十四届北京市政协委员，入选国家高层次人才青年项目、北京市特聘专家，中国材料协会纳米材料与器件二级分会理事。于2001年7月和2004年7月分获清华大学化学系学士学位和材料科学与工程系硕士学位，2009年2月获弗吉尼亚理工材料科学与工程系博士学位，2009年4月获Director’s Postdoctoral Fellowship在洛斯阿拉莫斯国家实验室做博士后研究。主要从事第三代半导体材料的制备、外延功能氧化物生长和表征、新型多功能电子学和光电子学器件设计与应用、自驱动传感与海上物联网等方面的研究。至今已在Science Advances、Nature Communication、Matter、Chemical Review、Advanced Materials等杂志上发表了170余篇研究论文，他引次数超过10000余次，论文的H-index为58，获得发明专利10余项。主持国家自然科学基金重大项目课题1项、面上项目2项，国家重点研发计划“纳米专项”课题1项，怀柔实验室基础研究项目课题1项等。担任北京市科技期刊卓越高起点新刊Smartsys副主编。（撰稿：赵国栋 审核：卢太平）