【集成电路科学与技术前沿】第六期——化合物半导体材料与器件

2025年10月31日，中国科学院物理研究所邓震研究员应鲁东大学集成电路学院邀请，在北教22号楼401报告厅作题为“化合物半导体材料与器件”的学术报告。集成电路学院全体师生参加，张立春院长主持报告会。

邓震研究员首先讲述了半导体的重要性，并指出了我国在半导体领域面临的“卡脖子”问题以及在该领域从跟跑到并跑、再到领跑的发展历程。然后介绍了化合物半导体的性质、制备方法、应用领域和典型材料发展趋势。最后分享了中科院物理所化合物半导体团队在“短波红外微型光谱仪”以及“片上集成超构表面红外探测器”等方面的最新研究成果。

报告结束后，邓震研究员与现场师生进行了深入交流，详细解答了相关问题并分享了在学术道路上的心得体会。

  邓震，中国科学院物理研究所研究员，博士生导师，入选中国科学院物理所引进海外杰出人才项目和中科院青促会会员。邓震博士从博士至今一直从事化合物半导体材料与器件的研究工作, 目前主要研究方向: 1) Ⅲ-Ⅴ族光电材料生长与器件研究; 2) Ⅲ-Nitrides的外延生长及其器件研究; 3)其他新型光电器件研究。邓震博士主持了国家自然科学基金、国家重点研发项目子课题、中国科学院重点部署项目课题、国防项目、企业委托横向项目等多项研究课题,在Photonics Research、 Optics Letters等期刊发表论文60余篇，其中第一及通讯作者（含共同通讯）文章20余篇。（撰稿：赵国栋 审核：卢太平）