朱亚丹

时间:2023年04月17日

朱亚丹讲师

Email:ydzhu@ldu.edu.cn

教育经历

2014.09-2018.07太原理工大学材料科学与工程专业学习,获工学博士学位

2017.07-2018.07瑞典隆德大学固体物理专业学习,博士联合培养

2008.09-2011.07中国科学院上海光学精密机械研究所材料学专业学习,获工学硕士学位:

2004.09-2008.07长春理工大学无机非金属材料工程专业学习,获工学学士学位


工作经历

2021.08至今鲁东大学集成电路学院讲师

2021.03-2021.08鲁东大学物理与光电工程学院讲师

2018.12-2021.03超凡知识产权服务股份有限公司工程师

2011.07-2014.08上海华力微电子有限公司工程师


研究领域

GaN基光电子材料与器件


承担研究课题

原位制备微纳多孔GaN薄膜提高绿光LED发光效率的研究(ZR2022QF052),2023.01-2025.12,山东省自然科学基金主持


研究生培养:

招收宽禁带半导体材料与器件方向硕士研究生


学术论文

[1] Yadan Zhu, et al., Effect of hydrogen treatment temperature on the properties of InGaN/GaN multiple quantum wells, Nanoscale Research Letters, 2017, 12:321

[2] Yadan Zhu, et al., Origin of huge photoluminescence efficiency improvement in InGaN/GaN multiple quantum wells with low-temperature GaN cap layer grown in N2/H2 mixture gas, Applied Physics Express, 2017, 10:061004

[3] Yadan Zhu, et al., Effect of small flow hydrogen treatment at the upper well/barrier interface on the properties of InGaN/GaN multiple quantum wells, Superlattices and Microstructures, 2017, 107:293-298

[4] Yadan Zhu, et al., Advantages of InGaN/GaN multiple quantum wells with two-step grown low temperature GaN cap layers.Superlattices and Microstructures, 2017, 111:960-965

[5] Yadan Zhu, et al., Precise Control of thickness uniformity in Mo/Si soft X-ray multilayer, Acta Optica Sinica, 2011, 31(11):1131001

[6] R.Carrascón, D.Q.Tran, P.Sukkaew, A.Mock, R.Ciechonski, J.Ohlsson, Y.Zhu, et al., Optimization of GaN Nanowires Reformation Process by Metalorganic Chemical Vapor Deposition for Device-Quality GaN Templates, Phys. Status Solidi B, 2020, 257:1900581


授权发明专利

[1] 许并社,朱亚丹,卢太平,赵广洲基于3D打印制备LED器件电极的方法ZL201610120569.0

[2] 许并社,朱亚丹,卢太平,周小润一种提高GaNLED内量子效率的外延方法ZL201710140746.6


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