【集成电路科学与技术前沿】第四期——抗辐照碳化硅高时间分辨探测器

2025年9月28日，应鲁东大学集成电路学院邀请，中国科学院高能物理研究所史欣副研究员来访交流，并在22号教学楼401报告厅作题为“抗辐照碳化硅高时间分辨探测器”的学术报告。集成电路学院全体师生参加，李正教授主持报告会。

史老师以欧洲核子中心大型强子对撞机ATLAS实验用硅探测器升级为背景，介绍了硅基探测器近年来在高能物理、核物理、空间探测等领域的重要应用；然后指出了硅探测器的局限性，并阐述了碳化硅材料相比硅具有原子位移阈能高、热导率高等方面的优势；最后介绍了低增益雪崩碳化硅(SiC-LGAD)高能粒子快速探测器的研究进展。

报告结束后，史老师与现场师生进行了深入交流，详细解答了相关问题。

史欣，中科院高能物理研究所副研究员。2001年本科毕业于山东大学物理系，2004年获得北京大学技术物理系硕士学位，2011年获得美国康奈尔大学博士学位。2011年至2015年先后在台湾大学（常驻瑞士日内瓦欧洲核子中心CERN）和美国普渡大学进行博士后研究。从2002年至今，参与了北京正负电子对撞机、康奈尔正负电子对撞机和欧洲核子中心的大型强子对撞机上的实验，开展物理分析与半导体探测器研制。2015年入选中科院人才计划，2016年入选国家人才计划。负责中国组ATLAS实验硅微条探测器升级项目，同时作为国际抗辐照半导体探测器合作组（DRD3）宽禁带半导体工作组（WG6）负责人开展碳化硅探测器的研发。（撰稿：赵国栋 审核：金鑫）