【创芯讲堂15】山东大学刘超教授作垂直型氮化镓功率器件与集成学术报告

12月9日，应鲁东大学集成电路学院邀请，山东大学集成电路学院刘超教授来访交流，并在校图书馆报告厅作了题为“垂直型氮化镓功率器件与集成”的学术报告。集成电路学院全体师生参加，院长助理卢太平主持报告会。

刘超教授从减少电能变换过程中的功率损耗出发，介绍了氮化镓功率电子器件的优势和应用前景，水平型和垂直型氮化镓功率电子器件的工作原理及其特点，以及垂直型氮化镓功率器件的发展历程。详细讲解了在硅基氮化镓垂直型功率器件、垂直型氮化镓功率器件的单片集成，以及垂直型超宽禁带铝镓氮功率器件等方面取得的进展和突破。

学术报告结束后，刘超教授针对现场师生提出的问题进行了详细解答，并鼓励同学们要志存高远、求实创新，勇于探索科技前沿，为我国集成电路发展贡献智慧和力量。

刘超,山东大学集成电路学院/晶体材料国家重点实验室教授、博士生导师、国家重点研发计划青年项目首席科学家、齐鲁青年学者。主要研究兴趣是宽禁带半导体材料与器件，包括III族氮化物半导体的MOCVD外延生长、先进器件制备工艺以及单片集成模块的开发等。制备了首枚硅基GaN垂直结构MOSFET器件，首次实现了垂直型GaN功率MOSFET与续流/反向阻断肖特基二极管的单片集成，至今保持着硅基GaN垂直结构功率MOSFET的性能记录。主持国家重点研发计划等十余项科研项目，在本领域权威期刊IEEE Electron Device Letters等发表论文90余篇，申请/授权发明专利20余件，研究成果被IEEE Spectrum等国际产业杂志亮点报道十余次。

（撰稿：卢太平 审核：王美山）